MOSFET Lab

load line · Q-point · switching

게이트 길이와 폭, 유전체 두께·유전율, 기판 도핑, 이동도와 온도를 공정 변수로 설정하세요. 공정 단면에서 출발해 Cox·EOT·VTH·subthreshold slope·DIBL이 어떻게 파생되는지 계산합니다.

파생된 compact parameter가 출력 특성, 전달 특성, 로드라인과 Q점에 즉시 반영됩니다. 180 nm SiO₂부터 45 nm high-k와 hot corner까지 비교할 수 있는 교육용 공정–소자 연계 모델입니다.

동작 영역saturation

파생 VTH0.00 V

등가 산화막 EOT0.00 nm

Subthreshold slope0 mV/dec

공정 기반 출력 특성 · Load lineQ (0.0 V, 0.0 mA)

MOSFET 공정 단면SiO₂ / Si

전달 특성 · ID(VGS)gm 0.0 mS

Subthreshold · log IDIoff 0 A

공정–소자 해석

파생 compact parameter

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1차 전기정역학과 α-power compact model입니다. 양자 구속, 랜덤 도펀트, 실제 PDK 모델과 공정 변동성은 포함하지 않습니다.